电子级多晶硅
粒状多晶硅
高纯硅烷气
电子级多晶硅
粒状多晶硅
高纯硅烷气
产品简介 ：公司采用硅烷西门子法生产的电子级多晶硅料，是国内极少数有能力量产电子级超纯多晶硅的企业。
电子级多晶硅块产品CZ与区熔级硅棒FZ代表公司最高技术水准。产品纯度高达11N，且具有高致密性。其中区熔级产品为国内唯一能够生产此产品的企
业，拥有明显的进口替代能力。
应用领域：CZ块硅产品主要应用于：半导体直拉单晶生产、特别是大规模集成电路（CPU、GPU等）用硅片生产，同时还可用于高品质光伏单晶生产领域。
FZ硅棒应用于分立器件、大功率半导体IGBT等半导体生产。
执行标准：国家标准GB/T 12963- -2009 《硅多晶》
电子级多晶硅块产品CZ与区熔级硅棒FZ代表公司最高技术水准。产品纯度高达11N，且具有高致密性。其中区熔级产品为国内唯一能够生产此产品的企
业，拥有明显的进口替代能力。
应用领域：CZ块硅产品主要应用于：半导体直拉单晶生产、特别是大规模集成电路（CPU、GPU等）用硅片生产，同时还可用于高品质光伏单晶生产领域。
FZ硅棒应用于分立器件、大功率半导体IGBT等半导体生产。
执行标准：国家标准GB/T 12963- -2009 《硅多晶》
CE0A4416
CE0A4402
CE0A4405
CE0A4414
产品简介 ：我公司引进美国REC Silicon FBR-B（第二代流化床）技术生产的粒状多晶硅，是国内唯一具备大规模量产能力的粒状硅生产企业。
FBR工艺综合电耗较西门子法下降明显，有利于降低产品成本、FBR反应器所具备的最长200天连续生产能力也远优于改良西门子法，产品经筛分及抛光，颗
粒表面光洁度高，杂质含量低。粒状硅产品所具有的小颗粒、流动性等特点使其在下游应用过程中作用巨大。
应用领域：粒状硅无需破碎可直接用于多晶铸锭及单晶拉制。
FBR粒状多晶硅运用在下游多晶铸锭生产中，作为坩埚铺底和填缝使用，将有利于增加坩埚装载量，增加铸锭企业单位产出，降低生产成本。
近年流行的单晶CCZ（连续直拉）生产过程中，粒状硅具有西门子块状硅难以替代的便于连续加料等优势，非常适合大直径单晶连续拉制使用。
执行标准：国家标准GB/T 12963- -2009 《硅多晶》
FBR工艺综合电耗较西门子法下降明显，有利于降低产品成本、FBR反应器所具备的最长200天连续生产能力也远优于改良西门子法，产品经筛分及抛光，颗
粒表面光洁度高，杂质含量低。粒状硅产品所具有的小颗粒、流动性等特点使其在下游应用过程中作用巨大。
应用领域：粒状硅无需破碎可直接用于多晶铸锭及单晶拉制。
FBR粒状多晶硅运用在下游多晶铸锭生产中，作为坩埚铺底和填缝使用，将有利于增加坩埚装载量，增加铸锭企业单位产出，降低生产成本。
近年流行的单晶CCZ（连续直拉）生产过程中，粒状硅具有西门子块状硅难以替代的便于连续加料等优势，非常适合大直径单晶连续拉制使用。
执行标准：国家标准GB/T 12963- -2009 《硅多晶》
CE0A3866
CE0A3862
CE0A3857
CE0A3846
CE0A3854
产品简介 ：电子级高纯硅烷气作为公司硅烷生产部主要产品，纯度高达99.9999%，在满足超纯硅生产部及FBR生产需要的同时，公司具备500MT/年硅烷气充装外售能
力。
硅烷气产品采用代理商模式开展销售工作，REC上海办事处作为我公司合作方利用成熟的市场销售渠道与操作经验帮助我们更加顺利的进入下游应用市场。
应用领域：
执行标准：国家标准GB/T 12963- -2009 《硅多晶》
力。
硅烷气产品采用代理商模式开展销售工作，REC上海办事处作为我公司合作方利用成熟的市场销售渠道与操作经验帮助我们更加顺利的进入下游应用市场。
应用领域：
| 硅烷气主要应用领域 | ||
| 产品 | 应用领域 | 具体应用 |
| 硅烷气 | 太阳能电池 | 晶硅电池氮化硅减反射膜制备 |
| 平板显示(TFT-LCD) | 氮化硅绝缘保护膜、非晶硅层膜 | |
| 半导体 | 外延硅淀积、氧化硅膜淀积、氮化硅膜淀积 | |
执行标准：国家标准GB/T 12963- -2009 《硅多晶》
DSC01583
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