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紫光正式进军DRAM产业,中国再启DRAM自主开发之路
来源:集邦咨询   发布时间:2019-07-02   作者:梅麟    浏览量:7682

紫光集团于6月30日正式发文公告组建DRAM事业群,由曾任工信部电子信息司司长的刁石京担任事业群董事长,而CEO由高启全担任。这也是在晋华事件后,中国自主开发DRAM产品的另一新里程碑。

据估计,紫光DRAM事业群虽在草创初期,但已有长江存储的盖厂经验,且盖厂人员未有大异动下,迅速完成DRAM新厂的兴建并不困难;地点方面,紫光集团除了在南京有工厂正在兴建外,跟重庆亦有密切的合作,不排除是其新工厂的另一选择;技术方面,紫光集团旗下的IC设计公司紫光国微,具有DRAM相关产品的研发实力,未来若能整合至紫光,将助力其DRAM事业群发展。目前紫光欠缺的是DRAM的制程技术,这部分预计可望藉由其新任CEO的业界人脉进行补强。

观察中国存储器产业发展,自2014年以来历经大基金的成立以及各地方政府投入发展,DRAM产业出线的有合肥长鑫与晋华集成两家,NAND Flash产业以长江存储为发展主力,但富士康半导体亦在2018年宣布与珠海市政府正式签署战略合作协议,将在珠海规划12英寸半导体厂,传闻意图进军DRAM产业,至今尚未有进一步的消息。

集邦咨询指出,紫光并非首次计划进军DRAM产业,早在2014年期间紫光就曾表达出研发DRAM的决心,但当时为了平衡产业与地方发展,确立紫光发展NAND Flash的路线,DRAM研发之路无疾而终。此次紫光集团重返DRAM研发之路,其原因分析如下:首先是福建晋华事件最终导致量产与未来研发之路都不容易。其次是虽然合肥长鑫五月在上海参加全球半导体联盟存储器论坛(GSA Memory+Conference)时,预计今年底量产8Gb的DRAM产品,但仅有一家正在进行的DRAM厂对中国自主开发DRAM产品的目标而言是不足的,特别在中美贸易摩擦之后,如何拥有与国际接轨与竞争的产品,是中国目前至关重要的议题。


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